K4B4G1646D-BYH9 vs NT5CC256M16DN-FLNA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BYH9 von Samsung Electronics und NT5CC256M16DN-FLNA von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BYH9 | NT5CC256M16DN-FLNA |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,30 | $6,00 |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Datenrate | 1333 Mbps | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | — |
| Betriebstemperatur | 0 ~ 85 °C | — |
| Gehäuse | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS-Latenz | Programmable | 11 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Speichertyp | — | DDR3L SDRAM |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (1.283V-1.45V) |
| Backward Compatible Voltage | — | 1.5V ±0.075V |
| Burst Length | — | 8 |
| Betriebstemperaturbereich | — | Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) |
| Schnittstelle | — | 16-bit I/O |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |