K4B4G1646E-BYK0 vs K4B4G1646E-BCMA 比較

詳細な並列比較: K4B4G1646E-BYK0 メーカー: Samsung Electronics および K4B4G1646E-BCMA メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4B4G1646E-BYK0 K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 ✓ 生産中
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K4B4G1646E-BCMA K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung

K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung

K4B4G1646E-BCMA ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4B4G1646E-BYK0 K4B4G1646E-BCMA
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.80 $3.77
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
電源電圧 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.425 V to 1.575 V (1.5 V nominal)
データレート DDR3-1600 (800 MHz) —
パッケージ 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) FBGA-96 (7.5 x 13.3 mm)
動作温度 0°C to +95°C (TC) 0C to +95C
CASレイテンシ 11 (CL-tRCD-tRP) —
Burst Length 8 (fixed), 4 (burst chop) —
On-Die Termination Yes (dynamic ODT) —
ZQ Calibration Yes Yes
Auto Precharge Yes Yes
Self-Refresh Yes —
Asynchronous Reset Yes Yes
Data Mask Yes —
RoHS Compliant —
Clock / Data Rate — 1066 MHz / 1066 Mbps per data pin
Operating Supply Current (IDD) — 55 mA
Standby Current — 2 mA
On-Die Termination (ODT) — Dynamic ODT supported
Data Mask Function — Yes
実装タイプ — Surface Mount (BGA)
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

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