K4B4G1646E-BYK0 vs K4B4G1646E-BCMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BYK0 par Samsung Electronics et K4B4G1646E-BCMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung
K4B4G1646E-BCMA ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646E-BYK0 | K4B4G1646E-BCMA |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,80 | $3,77 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.425 V to 1.575 V (1.5 V nominal) |
| Débit de données | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | FBGA-96 (7.5 x 13.3 mm) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (TC) | 0C to +95C |
| Latence CAS | 11 (CL-tRCD-tRP) | — |
| Burst Length | 8 (fixed), 4 (burst chop) | — |
| On-Die Termination | Yes (dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Clock / Data Rate | — | 1066 MHz / 1066 Mbps per data pin |
| Operating Supply Current (IDD) | — | 55 mA |
| Standby Current | — | 2 mA |
| On-Die Termination (ODT) | — | Dynamic ODT supported |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Type de montage | — | Surface Mount (BGA) |
| Statut RoHS | — | Compliant |