MMA1260EGR2 vs MMA1250EGR2 比較

詳細な並列比較: MMA1260EGR2 メーカー: NXP Semiconductors および MMA1250EGR2 メーカー: NXP Semiconductors。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

NXP Semiconductors
MMA1250EGR2 MMA1250EGR2 - ±5g Z-Axis Micromachined Accelerometer | NXP

MMA1250EGR2 - ±5g Z-Axis Micromachined Accelerometer | NXP

MMA1250EGR2 ⚠ ラストタイムバイ

仕様比較

パラメータ MMA1260EGR2 MMA1250EGR2
ブランド NXP Semiconductors NXP Semiconductors
カテゴリ Motion Sensors Motion Sensors
ライフサイクル状態 NRND ラストバイ
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.20 $2.85
センサタイプ Accelerometer Accelerometer
Sensing Axis Z —
Acceleration Range ±1.55 g —
Sensitivity 1140 mV/g to 1260 mV/g [DATA_NEEDED: sensitivity in mV/g]
Bandwidth 50 Hz (2-pole low-pass filter) 50 Hz (internal 2-pole low-pass filter)
電源電圧 5.0 V (nominal) 5.0 V nominal (per legacy MMA1250 datasheet typical conditions)
出力タイプ Analog voltage (ratiometric) Analog, ratiometric
Output at 0 g 2.5 V (nominal, ratiometric) —
Self-Test Yes (electrostatic force activation) —
パッケージ 16-pin SOIC (SOG) 16-SOIC (SOP-16), surface mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 C to +85 C (industrial grade)
電源電流 [DATA_NEEDED: typical supply current] [DATA_NEEDED: quiescent current in mA]
Zero-g Offset Drift [DATA_NEEDED: zero-g offset over temperature] —
RoHS ステータス Compliant (per distributor listings) [DATA_NEEDED: confirm per NXP product page]
Axis — Z (perpendicular to package top)
Full-Scale Range — ±5 g
Zero-g Output — Approximately Vdd/2 (ratiometric)
Sensor Technology — Micromachined silicon capacitive
Internal Features — Signal conditioning, 2-pole low-pass filter, temperature compensation, self-test

データシート&リソース

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