MMA1260EGR2 vs MMA1250EGR2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MMA1260EGR2 от NXP Semiconductors и MMA1250EGR2 от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MMA1250EGR2 MMA1250EGR2 - ±5g Z-Axis Micromachined Accelerometer | NXP

MMA1250EGR2 - ±5g Z-Axis Micromachined Accelerometer | NXP

MMA1250EGR2 ⚠ Последняя закупка

Сравнение характеристик

Параметр MMA1260EGR2 MMA1250EGR2
Бренд NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Категория Motion Sensors Motion Sensors
Статус жизненного цикла NRND Последняя закупка
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $5,20 $2,85
Тип датчика Accelerometer Accelerometer
Sensing Axis Z —
Acceleration Range ±1.55 g —
Sensitivity 1140 mV/g to 1260 mV/g [DATA_NEEDED: sensitivity in mV/g]
Bandwidth 50 Hz (2-pole low-pass filter) 50 Hz (internal 2-pole low-pass filter)
Напряжение питания 5.0 V (nominal) 5.0 V nominal (per legacy MMA1250 datasheet typical conditions)
Тип выхода Analog voltage (ratiometric) Analog, ratiometric
Output at 0 g 2.5 V (nominal, ratiometric) —
Self-Test Yes (electrostatic force activation) —
Корпус 16-pin SOIC (SOG) 16-SOIC (SOP-16), surface mount
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 C to +85 C (industrial grade)
Ток потребления [DATA_NEEDED: typical supply current] [DATA_NEEDED: quiescent current in mA]
Zero-g Offset Drift [DATA_NEEDED: zero-g offset over temperature] —
Статус RoHS Compliant (per distributor listings) [DATA_NEEDED: confirm per NXP product page]
Axis — Z (perpendicular to package top)
Full-Scale Range — ±5 g
Zero-g Output — Approximately Vdd/2 (ratiometric)
Sensor Technology — Micromachined silicon capacitive
Internal Features — Signal conditioning, 2-pole low-pass filter, temperature compensation, self-test

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену