CSD18503Q5A vs CSD17303Q5 비교

다음의 상세 나란히 비교: CSD18503Q5A 제조: Texas Instruments 및 CSD17303Q5 제조: Texas Instruments. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Texas Instruments
CSD17303Q5 CSD17303Q5 - 30V N-Ch NexFET MOSFET 2.6mOhm | TI

CSD17303Q5 - 30V N-Ch NexFET MOSFET 2.6mOhm | TI

CSD17303Q5 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 CSD18503Q5A CSD17303Q5
브랜드 Texas Instruments Texas Instruments
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.85 $1.65
Polarity N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
On-Resistance (RDS(on)) 4.3 mOhm (3.4 mOhm typical) —
Continuous Drain Current (Ta) 19 A —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Ta) 3.1 W 3.2 W
Power Dissipation (Tc) 120 W —
Technology NexFET NexFET
패키지 8-VSONP (DQJ), 5 mm x 6 mm VSON-CLIP (DQH) 8-pin, 5x6 mm
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 접합 온도 -55C to +150C —
Configuration Single —
Gate Charge [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: Qg value]
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
핀 수 8 —
Vds Drain-Source Voltage — 30 V
Id Continuous Drain Current (Ta) — 32 A
Id Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Rds(on) On-Resistance — 2.6 mOhm
Gate Drive Optimization — 5 V
Avalanche Rated — Yes
동작 온도 — -55C to +150C
Terminal Plating — Pb-free
할로겐 프리 — Yes

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