CSD18503Q5A vs CSD17303Q5 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок CSD18503Q5A от Texas Instruments и CSD17303Q5 от Texas Instruments. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Texas Instruments
CSD18503Q5A CSD18503Q5A - 40V N-Channel NexFET MOSFET 4.3mOhm | Texas Instruments

CSD18503Q5A - 40V N-Channel NexFET MOSFET 4.3mOhm | Texas Instruments

CSD18503Q5A ✓ Активен
Texas Instruments
CSD17303Q5 CSD17303Q5 - 30V N-Ch NexFET MOSFET 2.6mOhm | TI

CSD17303Q5 - 30V N-Ch NexFET MOSFET 2.6mOhm | TI

CSD17303Q5 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр CSD18503Q5A CSD17303Q5
Бренд Texas Instruments Texas Instruments
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,85 $1,65
Polarity N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
On-Resistance (RDS(on)) 4.3 mOhm (3.4 mOhm typical) —
Continuous Drain Current (Ta) 19 A —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Ta) 3.1 W 3.2 W
Power Dissipation (Tc) 120 W —
Technology NexFET NexFET
Корпус 8-VSONP (DQJ), 5 mm x 6 mm VSON-CLIP (DQH) 8-pin, 5x6 mm
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура перехода -55C to +150C —
Configuration Single —
Gate Charge [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: Qg value]
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Количество выводов 8 —
Vds Drain-Source Voltage — 30 V
Id Continuous Drain Current (Ta) — 32 A
Id Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Rds(on) On-Resistance — 2.6 mOhm
Gate Drive Optimization — 5 V
Avalanche Rated — Yes
Рабочая температура — -55C to +150C
Terminal Plating — Pb-free
Без галогенов — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену