CSD18503Q5A vs CSD17303Q5 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de CSD18503Q5A por Texas Instruments e CSD17303Q5 por Texas Instruments. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Texas Instruments
CSD17303Q5 CSD17303Q5 - 30V N-Ch NexFET MOSFET 2.6mOhm | TI

CSD17303Q5 - 30V N-Ch NexFET MOSFET 2.6mOhm | TI

CSD17303Q5 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro CSD18503Q5A CSD17303Q5
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,85 $1,65
Polarity N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
On-Resistance (RDS(on)) 4.3 mOhm (3.4 mOhm typical) —
Continuous Drain Current (Ta) 19 A —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Ta) 3.1 W 3.2 W
Power Dissipation (Tc) 120 W —
Technology NexFET NexFET
Encapsulamento 8-VSONP (DQJ), 5 mm x 6 mm VSON-CLIP (DQH) 8-pin, 5x6 mm
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Configuration Single —
Gate Charge [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: Qg value]
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Número de pinos 8 —
Vds Drain-Source Voltage — 30 V
Id Continuous Drain Current (Ta) — 32 A
Id Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Rds(on) On-Resistance — 2.6 mOhm
Gate Drive Optimization — 5 V
Avalanche Rated — Yes
Temperatura de operação — -55C to +150C
Terminal Plating — Pb-free
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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