CSD18503Q5A vs CSD17303Q5 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de CSD18503Q5A par Texas Instruments et CSD17303Q5 par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
CSD17303Q5 CSD17303Q5 - 30V N-Ch NexFET MOSFET 2.6mOhm | TI

CSD17303Q5 - 30V N-Ch NexFET MOSFET 2.6mOhm | TI

CSD17303Q5 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre CSD18503Q5A CSD17303Q5
Marque Texas Instruments Texas Instruments
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,85 $1,65
Polarity N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
On-Resistance (RDS(on)) 4.3 mOhm (3.4 mOhm typical) —
Continuous Drain Current (Ta) 19 A —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Ta) 3.1 W 3.2 W
Power Dissipation (Tc) 120 W —
Technology NexFET NexFET
Boîtier 8-VSONP (DQJ), 5 mm x 6 mm VSON-CLIP (DQH) 8-pin, 5x6 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Configuration Single —
Gate Charge [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: Qg value]
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Nombre de broches 8 —
Vds Drain-Source Voltage — 30 V
Id Continuous Drain Current (Ta) — 32 A
Id Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Rds(on) On-Resistance — 2.6 mOhm
Gate Drive Optimization — 5 V
Avalanche Rated — Yes
Température de fonctionnement — -55C to +150C
Terminal Plating — Pb-free
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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