EP3SE110F780C4L vs EP3SE50F780C4L 비교
다음의 상세 나란히 비교: EP3SE110F780C4L 제조: Intel 및 EP3SE50F780C4L 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | EP3SE110F780C4L | EP3SE50F780C4L |
|---|---|---|
| 브랜드 | Intel | Intel |
| 카테고리 | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| 수명 주기 상태 | 활성 | NRND |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1,550.00 | $1,320.00 |
| Series | Stratix III E | Stratix III E |
| Number of Logic Elements (LE) | 107,500 | — |
| Number of Logic Array Blocks (LAB) | [DATA_NEEDED: number of LABs] | — |
| Total Memory Bits | 8,936,448 bits | — |
| Number of 18x18 Multipliers | 488 | — |
| Number of PLLs | [DATA_NEEDED: PLL count] | — |
| User I/O Pins | 488 | — |
| Speed Grade | -4 (commercial) | C4 (commercial, speed 4) |
| Process Variant | L (low-leakage) | — |
| 동작 온도 | 0C to +85C (commercial) | [DATA_NEEDED: full industrial/commercial grade] |
| Supply Voltage (Core) | [DATA_NEEDED: core voltage] | — |
| Package Type | 780-Ball FCBGA | — |
| Ball Pitch | 1.0 mm | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| Process Technology | 65 nm CMOS | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant (lead-free) |
| MSL 레벨 | 3 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Family | — | Stratix III |
| Logic Elements (LE) | — | 47,500 |
| Embedded Memory | — | 5,760,000 bits |
| User I/Os | — | 488 |
| DSP Blocks (18x18 multipliers) | — | 304 (19x16) |
| 패키지 | — | 780-ball FCBGA (Flip-Chip BGA) |
| Process Node | — | 40 nm |
| Core Voltage | — | 1.1 V |
| Lead-Free (L suffix) | — | Yes |
| Configuration Method | — | Passive Serial / Fast Passive Parallel / JTAG / Enhanced |
| Transceivers | — | [DATA_NEEDED: per Stratix III E variant] |
| PLLs | — | [DATA_NEEDED: PLL count] |