H5AN8G8NCJR-VKC vs MT40A1G8AG-062E 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G8NCJR-VKC 제조: SK hynix 및 MT40A1G8AG-062E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G8NCJR-VKC | MT40A1G8AG-062E |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $28.13 | $3.10 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (volatile) | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gbit | 8 Gbit |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps/pin | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) | 1.2 V |
| Operating Current (typ) | 30 mA | — |
| Standby Current (typ) | 3 mA | — |
| 동작 온도 | 0C to +85C | — |
| 패키지 | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78-FBGA (7.5 x 11 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| 인터페이스 | Parallel (DDR4) | Parallel |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh period] | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| 메모리 구성 | — | 1G x 8 |
| Clock Cycle Time | — | 19 ns class (-062E speed grade) |
| Temperature Grade | — | Automotive (AUT) |
| Access Time (CAS Latency class) | — | DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4 bank groups) |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| CA Parity | — | Supported (DDR4 command/address parity) |
| Packaging Option | — | Tape and Reel (TR / :R suffix) |
| 동작 온도 범위 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |