K4A8G085WC vs K4A8G085WB-BCPB 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G085WC 제조: Samsung Electronics 및 K4A8G085WB-BCPB 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G085WC | K4A8G085WB-BCPB |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $24.90 | $13.78 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gbit |
| 메모리 구성 | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Speed | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) | — |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.2 V (nominal) |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Clock Frequency | 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) | — |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) | -40 C to +95 C | — |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) | 0 C to +95 C | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| 데이터 속도 | — | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Speed Grade | — | BC |
| CAS Latency (CL) | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Architecture | — | 16 banks (4 bank groups) |
| Refresh Interval | — | 7.8 us (up to 85C) |
| 인터페이스 유형 | — | SSTL-12 |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Self-Refresh | — | Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) |
| Package Dimensions | — | 11 mm x 11 mm |
| Operating Mode | — | DLL enabled |