MT41K256M16HA-15EM:E vs H5TC4G63MFR-PBA 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT41K256M16HA-15EM:E 제조: Micron Technology 및 H5TC4G63MFR-PBA 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT41K256M16HA-15EM:E | H5TC4G63MFR-PBA |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.95 | $6.50 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 공급 전압 | 1.35 V (1.5V compatible) | — |
| 데이터 속도 | 1333 Mbps (DDR3L-1333) | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| CAS 레이턴시 | 15 | — |
| 패키지 | 96-ball FBGA (9x14mm) | 96-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| 핀 수 | 96 | — |
| Access Time | 13.75 ns | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (+0.100V/-0.067V) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | BL8, BL4 (with burst chop) |
| CAS Latency (CL) | — | Programmable |
| CAS Write Latency (CWL) | — | Programmable |
| Additive Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | — | Yes |
| Process Technology | — | 30nm-class |
| RoHS Compliant | — | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) |