BSC014N04LSTATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci BSC014N04LSTATMA1 disebabkan oleh Infineon dan BSC016N06NSTATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr BSC014N04LSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC014N04LSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1
Technology OptiMOS 5 (N-Channel Trench) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 33 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V 1.45 mΩ —
R DS(on) typical @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 115 W —
Gambaran Suhu Operasi -55°C to +150°C -55 C to +150 C
Kemasan PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Kiraan Pin 8 —
Status RoHS Compliant Compliant
Aras MSL MSL1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Lead-Free Yes Yes
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 167 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Series — OptiMOS

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga