BSC014N04LSTATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC014N04LSTATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC016N06NSTATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 - 40V 1.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC014N04LSTATMA1 - 40V 1.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC014N04LSTATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 - 60V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC016N06NSTATMA1 - 60V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC016N06NSTATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC014N04LSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC014N04LSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1
Technology OptiMOS 5 (N-Channel Trench) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 33 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V 1.45 mΩ —
R DS(on) typical @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 115 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C -55 C to +150 C
پیکیج PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 8 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول MSL1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Lead-Free Yes Yes
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 167 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Series — OptiMOS

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں