IAUA180N04S5N012AUMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IAUA180N04S5N012AUMA1 disebabkan oleh Infineon dan IAUCN04S7N019GATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUA180N04S5N012AUMA1 —
Series OptiMOS-5 40 V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 180 A (Tc) —
Maximum Power Dissipation (PD) 125 W (Tc) —
R_DS(on) (max) 1.2 mΩ at 10 V VGS —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Kemasan PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm² PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Gambaran Suhu Operasi -55 °C to +175 °C (Tj) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Technology OptiMOS-5 Trench —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per family datasheet)
Status RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 7
Jenis Transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga