IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUA180N04S5N012AUMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IAUCN04S7N019GATMA1 disebabkan oleh Infineon dan IAUA180N04S5N012AUMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IAUCN04S7N019GATMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Jenis Transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
Kemasan PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm²
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
Gambaran Suhu Operasi [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] -55 °C to +175 °C (Tj)
Part Number — IAUA180N04S5N012AUMA1
Series — OptiMOS-5 40 V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 180 A (Tc)
Maximum Power Dissipation (PD) — 125 W (Tc)
R_DS(on) (max) — 1.2 mΩ at 10 V VGS
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Technology — OptiMOS-5 Trench

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga