IPL60R180P6AUMA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IPL60R180P6AUMA1 disebabkan oleh Infineon dan IGLR70R200D2SXUMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IPL60R180P6AUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Technology CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET) GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 700 V
Gate-Source Voltage (VGS) -20 V to +20 V (max) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 22.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 180 mΩ —
Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C 176 W —
Gambaran Suhu Hubungan Operasi -55 °C to +150 °C —
Storage Temperature Range -55 °C to +150 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: RθJC value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V) —
Kemasan PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled)
Jenis Pemasangan Surface Mount —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolGaN G5
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 9.3 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 34 W
On-Resistance (RDS(on), max) — 200 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 1.26 nC
Output Capacitance (Coss) — 91 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 0.21 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.2 V
Gambaran Suhu Operasi — -40 °C to +150 °C
RoHS — Compliant

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga