IPL60R180P6AUMA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPL60R180P6AUMA1 tarafından Infineon ve IGLR70R200D2SXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPL60R180P6AUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET) GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 700 V
Gate-Source Voltage (VGS) -20 V to +20 V (max) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 22.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 180 mΩ —
Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C 176 W —
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C —
Storage Temperature Range -55 °C to +150 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: RθJC value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V) —
Paket PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled)
Montaj Türü Surface Mount —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolGaN G5
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 9.3 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 34 W
On-Resistance (RDS(on), max) — 200 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 1.26 nC
Output Capacitance (Coss) — 91 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 0.21 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.2 V
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40 °C to +150 °C
RoHS — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin