IPW60R037P7XKSA1 vs IPD60R360P7ATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IPW60R037P7XKSA1 disebabkan oleh Infineon dan IPD60R360P7ATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Infineon
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IPW60R037P7XKSA1 IPD60R360P7ATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ P7 CoolMOS P7
Jenis Transistor N-Channel MOSFET (Superjunction) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) 76 A —
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) 37 mΩ —
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) 255 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) 3.5 V —
Kemasan PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) —
Jenis Pemasangan Through Hole Surface Mount
Suhu Hubungan Operasi -55 °C to +150 °C -55°C to +150°C
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) Superjunction (SJ) N-channel MOSFET
Orderable Part Number Suffix XKSA1 (tube packaging, industrial) —
Status RoHS Compliant —
Avalanche Rated Yes —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — ±20 V (max)
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C — 9 A
Pulsed Drain Current (I_D,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 360 mΩ
Total Power Dissipation (P_tot) at T_C=25°C — 41 W
Storage Temperature — -55°C to +150°C
Kemasan / Case — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) typ — 3.5 V (typ)
ESD Protection (HBM) — >2 kV (per datasheet)
Aras MSL — 1 (per JEDEC J-STD20)
RoHS Compliance — Compliant
Qualification — Industrial grade per JEDEC (J-STD20, JESD22)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga