IPW60R037P7XKSA1 vs IPD60R360P7ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPW60R037P7XKSA1 tarafından Infineon ve IPD60R360P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPW60R037P7XKSA1 | IPD60R360P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ P7 | CoolMOS P7 |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET (Superjunction) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) | 76 A | — |
| On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) | 37 mΩ | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) | 255 W | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | 3.5 V | — |
| Paket | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) | — |
| Montaj Türü | Through Hole | Surface Mount |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 °C to +150 °C | -55°C to +150°C |
| Technology | CoolMOS Superjunction (SJ) | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET |
| Orderable Part Number Suffix | XKSA1 (tube packaging, industrial) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 600 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | — | ±20 V (max) |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | — | 9 A |
| Pulsed Drain Current (I_D,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 360 mΩ |
| Total Power Dissipation (P_tot) at T_C=25°C | — | 41 W |
| Storage Temperature | — | -55°C to +150°C |
| Paket / Kas | — | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) typ | — | 3.5 V (typ) |
| ESD Protection (HBM) | — | >2 kV (per datasheet) |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD20) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Qualification | — | Industrial grade per JEDEC (J-STD20, JESD22) |