IRFML8244TRPBF vs IRLML2060TRPBF Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IRFML8244TRPBF disebabkan oleh Infineon dan IRLML2060TRPBF disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IRFML8244TRPBF IRLML2060TRPBF
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Jenis Transistor N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR HEXFET (Trench Gate)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 25 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 5.8 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 4.8 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V +/- 12 V
RDS(on) max @ VGS=10V 24 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) 5.4 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] 1.8 V typical
Power Dissipation (PD) max 1.25 W (Ta) —
Gambaran Suhu Operasi -55 C to +150 C (junction) —
Kemasan SOT-23-3 (TO-236-3, SC-59) SOT-23 (Micro3, 3-pin)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Aras MSL MSL1 MSL1
Pin Configuration Industry-standard SOT-23 pinout (G-D-S) —
Status RoHS Compliant (Pb-free, halogen-free) Compliant
Qualification Consumer grade —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.2 A
RDS(on) max at VGS=10V — 480 mOhm
RDS(on) max at VGS=4.5V — 650 mOhm (typical 580 mOhm)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.25 W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) — 100 C/W
Suhu Hubungan Operasi — -55C to +150C
Boson Bebas — Yes

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga