IRFML8244TRPBF vs IRLML2060TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFML8244TRPBF tarafından Infineon ve IRLML2060TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFML8244TRPBF IRLML2060TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR HEXFET (Trench Gate)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 25 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 5.8 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 4.8 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V +/- 12 V
RDS(on) max @ VGS=10V 24 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) 5.4 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] 1.8 V typical
Power Dissipation (PD) max 1.25 W (Ta) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (junction) —
Paket SOT-23-3 (TO-236-3, SC-59) SOT-23 (Micro3, 3-pin)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 MSL1
Pin Configuration Industry-standard SOT-23 pinout (G-D-S) —
RoHS Durumu Compliant (Pb-free, halogen-free) Compliant
Qualification Consumer grade —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.2 A
RDS(on) max at VGS=10V — 480 mOhm
RDS(on) max at VGS=4.5V — 650 mOhm (typical 580 mOhm)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.25 W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) — 100 C/W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
Klorürsüz — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin