IRLML2030TRPBF vs IRLML6346TRPBF Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IRLML2030TRPBF disebabkan oleh Infineon dan IRLML6346TRPBF disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IRLML2030TRPBF IRLML6346TRPBF
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRLML2030TRPBF —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 2.7 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 1.3 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 100 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 154 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Charge (Qg) typ 1.0 nC —
Kemasan Micro3 (SOT-23) Micro3 / SOT-23
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Suhu Operasi -55C to +150C (junction) —
Aras MSL MSL 1 1
RoHS Compliance Yes (lead-free, halogen-free) —
Qualification JEDEC standard —
Soldering Wave-solder compatible —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 3.4 A (TA=25C)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=2.5V — 63 mOhm
RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Drive Capability — 2.5V logic-level
Maximum Power Dissipation (PD) — 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4)
Suhu Hubungan Operasi — -55C to +150C
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)
Status RoHS — Compliant

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga