IS43QR16512B-062AABL vs MT40A512M16TB-062E Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IS43QR16512B-062AABL disebabkan oleh ISSI, Integrated Silicon Solution Inc dan MT40A512M16TB-062E disebabkan oleh Micron Technology. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI

IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI

IS43QR16512B-062AABL ✓ Aktif
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IS43QR16512B-062AABL MT40A512M16TB-062E
Merek ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) — $60.00
Jenis Ingatan DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Saiz Ingatan 8 Gbit 8 Gbit
Organisasi 512M x 16 512M x 16
Tegangan Pemberi Arus 1.2 V —
Kadar Data 3200 MT/s 1600 MHz (DDR4-3200)
Latensi CAS 22-22-22 —
tRCD 19 ns 19 ns
Kemasan 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Suhu Operasi 0°C to +95°C (case) —
RoHS Compliant —
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Bilangan Pin 96 —
Antaramuka POD (Pseudo Open Drain) Parallel
Clock Frequency 1.6 GHz —
Lebar Bus Data 16 bit —
Supply Voltage - VDD/VDDQ — 1.2V ±60mV
Supply Voltage - VPP — 2.5V, -125mV, +250mV
Refresh Time — 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C
Gambaran Suhu Operasi — 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT)
Ciri-ciri — Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration
Status RoHS — Compliant
REACH Status — Compliant

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga