ISC015N06NM5LF2ATMA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci ISC015N06NM5LF2ATMA1 disebabkan oleh Infineon dan IPT015N10NF2SATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr ISC015N06NM5LF2ATMA1 IPT015N10NF2SATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Technology OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) OptiMOS trench, N-channel enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 275 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 217 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.55 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) 1.3 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V —
Gate-Source Voltage Rating ±20 V —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 1.3 nC —
Input Capacitance (Ciss) 6.9 nF —
Output Capacitance (Coss) 1.3 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 55 pF —
Total Gate Charge (Qg) 90 nC —
Suhu Hubungan Operasi -55 °C to +175 °C —
Kemasan PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 315 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 35 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 1.5 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.8 V at 267 µA
Total Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Total Power Dissipation (Tc) — 300 W
Gambaran Suhu Operasi — -55 °C to +175 °C
Gate Drive Voltage (typ) — 10 V
Tenaga Gesa tunggal padek — [DATA_NEEDED: EAS value]
Status RoHS — Compliant

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga