ISC045N03L5SATMA1 vs IPD028N06NF2SATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci ISC045N03L5SATMA1 disebabkan oleh Infineon dan IPD028N06NF2SATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr ISC045N03L5SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC045N03L5SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1
Jenis Transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 5 / Trench —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 63 A 139 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V @ ID=250 µA —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max]
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 870 pF @ VDS=15 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Kemasan SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) PG-TO252-3 (DPAK)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Gambaran Suhu Operasi -55 °C to +150 °C —
Status RoHS Compliant Compliant
Technology Family — OptiMOS 5 60V
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 2.85 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation at TA=25°C — 3 W
Power Dissipation at TC=25°C — 150 W
Gambaran Suhu Hubungan Operasi — -55 C to +175 C
Kiraan Pin — 3 (Gate, Drain-tab, Source)
Aras MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Packing — Tape & Reel (T&R)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga