ISC045N03L5SATMA1 vs IPD028N06NF2SATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC045N03L5SATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD028N06NF2SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC045N03L5SATMA1 | IPD028N06NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | ISC045N03L5SATMA1 | IPD028N06NF2SATMA1 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS 5 / Trench | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 18 A | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 63 A | 139 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 4.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V @ ID=250 µA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Total Gate Charge (Qg) | 13 nC @ VGS=10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 870 pF @ VDS=15 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 30 W | — |
| پیکیج | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +150 °C | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Technology Family | — | OptiMOS 5 60V |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 60 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | — | 2.85 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 150 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج | — | -55 C to +175 C |
| پن کی تعداد | — | 3 (Gate, Drain-tab, Source) |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Packing | — | Tape & Reel (T&R) |