ISC045N03L5SATMA1 vs IPD028N06NF2SATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC045N03L5SATMA1 tarafından Infineon ve IPD028N06NF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC045N03L5SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC045N03L5SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 5 / Trench —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 63 A 139 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V @ ID=250 µA —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max]
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 870 pF @ VDS=15 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Paket SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) PG-TO252-3 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Technology Family — OptiMOS 5 60V
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 2.85 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation at TA=25°C — 3 W
Power Dissipation at TC=25°C — 150 W
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain-tab, Source)
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Packing — Tape & Reel (T&R)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin