NT5CB256M16CP-DII vs NT5CC256M16CP-DIB1 Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci NT5CB256M16CP-DII disebabkan oleh Nanya Technology dan NT5CC256M16CP-DIB1 disebabkan oleh Nanya Technology. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Pengandingan Spesifikasi
| Parametr | NT5CB256M16CP-DII | NT5CC256M16CP-DIB1 |
|---|---|---|
| Merek | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Jenis Ingatan | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| Organisasi | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Kadar Data | DDR3L-1600 (PC3L-12800) | 1600Mbps (DDR3L-1600) |
| Latensi CAS | CL11 | — |
| tCK (min) | 1.25 ns | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (BL8) and 4 (BC4) |
| Antaramuka | SSTL-15 | — |
| Kemasan | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch |
| Gambaran Suhu Operasi | -40C to +95C (industrial) | — |
| Refresh Interval | 7.8us at 85C, 3.9us at 95C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Tegangan Pemberi Arus | — | 1.35V |
| CAS Latency (CL) | — | 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 8 |
| tRCD/tRP | — | 11 |
| Suhu Operasi | — | 0C to +95C (Tcase) |
| Boson Bebas | — | Yes |
| Lead Free | — | Yes |