H5TC4G63AFR-PBI vs K4B4G1646E-BYMA Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5TC4G63AFR-PBI por SK hynix e K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5TC4G63AFR-PBI | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Obsolete | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,50 | $14,32 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| Taxa de dados | DDR3-1600 (PC3L-12800) | 1866 Mbps/pin |
| Tensão de alimentação | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Latência CAS | Programmable | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Refresh Period | 7.8 us at 85°C | — |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C to +95°C | — |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) | FBGA-96 |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Temperatura de operação | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Número de pinos | — | 96 |