H5TC4G63AFR-PBI vs K4B4G1646E-BYMA Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5TC4G63AFR-PBI por SK hynix y K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5TC4G63AFR-PBI | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Obsolete | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $14,32 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| Velocidad de datos | DDR3-1600 (PC3L-12800) | 1866 Mbps/pin |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Latencia CAS | Programmable | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Refresh Period | 7.8 us at 85°C | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) | FBGA-96 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Número de pines | — | 96 |