H5TC4G63AFR-PBI vs K4B4G1646E-BYMA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5TC4G63AFR-PBI von SK hynix und K4B4G1646E-BYMA von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5TC4G63AFR-PBI | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Obsolete | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $14,32 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| Datenrate | DDR3-1600 (PC3L-12800) | 1866 Mbps/pin |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| CAS-Latenz | Programmable | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Refresh Period | 7.8 us at 85°C | — |
| Betriebstemperaturbereich | -40°C to +95°C | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) | FBGA-96 |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 96 | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Betriebstemperatur | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Anzahl der Pins | — | 96 |