H5TC4G63AFR-PBI vs K4B4G1646E-BYMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63AFR-PBI par SK hynix et K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5TC4G63AFR-PBI | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Obsolete | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $14,32 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| Débit de données | DDR3-1600 (PC3L-12800) | 1866 Mbps/pin |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Latence CAS | Programmable | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Refresh Period | 7.8 us at 85°C | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +95°C | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) | FBGA-96 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Nombre de broches | — | 96 |