H5TC4G63AFR-PBI vs K4B4G1646E-BYMA Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5TC4G63AFR-PBI от SK hynix и K4B4G1646E-BYMA от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5TC4G63AFR-PBI | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Obsolete | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,50 | $14,32 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| Скорость передачи данных | DDR3-1600 (PC3L-12800) | 1866 Mbps/pin |
| Напряжение питания | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Задержка CAS | Programmable | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Refresh Period | 7.8 us at 85°C | — |
| Диапазон рабочих температур | -40°C to +95°C | — |
| Корпус | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) | FBGA-96 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Рабочая температура | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Количество выводов | — | 96 |