IPB180P04P4L02ATMA2 vs IPD50P04P413ATMA2 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPB180P04P4L02ATMA2 por Infineon e IPD50P04P413ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IPB180P04P4L02ATMA2 - 40V P-Channel 180A OptiMOS-P2 MOSFET | Infineon
IPB180P04P4L02ATMA2 ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | IPB180P04P4L02ATMA2 | IPD50P04P413ATMA2 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,85 | $0,42 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS-P2 | — |
| Tipo de transistor | P-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | -40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 180 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 150 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +175 C (junction) | -55 °C to +175 °C |
| Encapsulamento | PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin) | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Contagem de pinos | 7 (6 + tab) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Status RoHS | Compliant (per Infineon product page) | Compliant |
| Tab Connection | Drain | — |
| Polarity / Device Type | — | P-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS-P2 (Trench) |
| Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) | — | [DATA_NEEDED: ID @ 100°C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] |
| Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) | — | 58 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V | — | 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max) |
| On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Maximum Junction Temperature (TJ,max) | — | 175 °C |
| Standard Pack Quantity (13" reel) | — | 2500 pcs |