IPB180P04P4L02ATMA2 vs IPD50P04P413ATMA2 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPB180P04P4L02ATMA2 제조: Infineon 및 IPD50P04P413ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPB180P04P4L02ATMA2 IPD50P04P413ATMA2
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.85 $0.42
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS-P2 —
트랜지스터 유형 P-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V -40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
On-State Resistance RDS(on) max 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
동작 온도 범위 -55 C to +175 C (junction) -55 °C to +175 °C
패키지 PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin) PG-TO252-3-313 (DPAK)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 7 (6 + tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
RoHS 상태 Compliant (per Infineon product page) Compliant
Tab Connection Drain —
Polarity / Device Type — P-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS-P2 (Trench)
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) — 50 A
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) — [DATA_NEEDED: ID @ 100°C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) — 58 W
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V — 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max)
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Maximum Junction Temperature (TJ,max) — 175 °C
Standard Pack Quantity (13" reel) — 2500 pcs

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