IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IAUS260N10S5N019TATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 por Infineon e IAUS260N10S5N019TATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,84 $2,95
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 Power-Transistor OptiMOS 5 trench-gate
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (Ta) 75 A —
Continuous Drain Current (Tc) 789 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 278 W —
Maximum On-Resistance RDS(on) 0.29 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2 V (typ) —
Encapsulamento PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled)
Contagem de pinos 9 16
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Cooling Dual-side exposed pad (top + bottom) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS 5
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) — 260 A (Tj)
On-State Resistance (Rds(on)) — 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs)
Power Dissipation (Pd) — 300 W (Tc)
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C (Tj)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Automotive Qualified — Yes (IAUS prefix denotes automotive grade)

Fichas técnicas e recursos

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