IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IAUS260N10S5N019TATMA1 비교
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Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 - 100V 260A 1.9mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IAUS260N10S5N019TATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.84 | $2.95 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | OptiMOS 5 trench-gate |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | — |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | — |
| 패키지 | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) |
| 핀 수 | 9 | 16 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Series | — | OptiMOS 5 |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 260 A (Tj) |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 300 W (Tc) |
| 동작 온도 범위 | — | -55 C to +175 C (Tj) |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Automotive Qualified | — | Yes (IAUS prefix denotes automotive grade) |