IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IAUS260N10S5N019TATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 от Infineon и IAUS260N10S5N019TATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 - 100V 260A 1.9mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IAUS260N10S5N019TATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,84 | $2,95 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | OptiMOS 5 trench-gate |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | — |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | — |
| Корпус | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) |
| Число выводов | 9 | 16 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | — |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Series | — | OptiMOS 5 |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 260 A (Tj) |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 300 W (Tc) |
| Диапазон рабочих температур | — | -55 C to +175 C (Tj) |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Automotive Qualified | — | Yes (IAUS prefix denotes automotive grade) |