IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IAUS260N10S5N019TATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 par Infineon et IAUS260N10S5N019TATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,84 $2,95
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 Power-Transistor OptiMOS 5 trench-gate
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (Ta) 75 A —
Continuous Drain Current (Tc) 789 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 278 W —
Maximum On-Resistance RDS(on) 0.29 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2 V (typ) —
Boîtier PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled)
Nombre de broches 9 16
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Cooling Dual-side exposed pad (top + bottom) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS 5
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) — 260 A (Tj)
On-State Resistance (Rds(on)) — 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs)
Power Dissipation (Pd) — 300 W (Tc)
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C (Tj)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Automotive Qualified — Yes (IAUS prefix denotes automotive grade)

Fiches techniques et ressources

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