K4A8G165WB-BCWE vs NT5AD512M16A4-GZ Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G165WB-BCWE por Samsung Electronics e NT5AD512M16A4-GZ por Nanya Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G165WB-BCWE | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,55 | $8,50 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| Organização da memória | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Taxa de dados | 3200 Mbps | — |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2V |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| Interface | Parallel | — |
| Encapsulamento | 96FBGA | TFBGA-96 |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Temperatura de operação | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Frequência máxima de clock | — | 1200 MHz |
| Largura do barramento de dados | — | 16 bits |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| Access Mode | — | Four Bank Page Burst |
| Faixa de temperatura de operação | — | Commercial and Industrial |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |