K4A8G165WB-BCWE vs NT5AD512M16A4-GZ Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WB-BCWE von Samsung Electronics und NT5AD512M16A4-GZ von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WB-BCWE | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,55 | $8,50 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Datenrate | 3200 Mbps | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2V |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Gehäuse | 96FBGA | TFBGA-96 |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Maximale Taktfrequenz | — | 1200 MHz |
| Datenbusbreite | — | 16 bits |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| Access Mode | — | Four Bank Page Burst |
| Betriebstemperaturbereich | — | Commercial and Industrial |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |