K4A8G165WB-BCWE vs NT5AD512M16A4-GZ 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G165WB-BCWE 제조: Samsung Electronics 및 NT5AD512M16A4-GZ 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G165WB-BCWE | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.55 | $8.50 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps | — |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.2V |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 패키지 | 96FBGA | TFBGA-96 |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 동작 온도 | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| 최대 클록 주파수 | — | 1200 MHz |
| 데이터 버스 폭 | — | 16 bits |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| Access Mode | — | Four Bank Page Burst |
| 동작 온도 범위 | — | Commercial and Industrial |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |