K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WM-BCRC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4AAG165WM-BCTD por Samsung Electronics e K4AAG165WM-BCRC por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCTD K4AAG165WM-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCTD ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4AAG165WM-BCTD K4AAG165WM-BCRC
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $62,00 $22,60
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
Organização da memória 1G x 16 1G x 16
Speed 2666 Mbps —
Tensão de alimentação 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Temperatura de operação 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC]
Encapsulamento 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) 96-ball FBGA
Interface SSTL-12 DDR4 (SSTL-12)
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
Dynamic On-Chip Termination Yes Yes
Data Mask Yes —
Tipo de montagem Surface Mount (BGA solder reflow) Surface Mount
Status RoHS RoHS (per LCSC listing) Compliant
Taxa de dados — 3200 Mbps
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Data Mask Function — Yes
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps]

Fichas técnicas e recursos

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