K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WM-BCRC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4AAG165WM-BCTD от Samsung Electronics и K4AAG165WM-BCRC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCTD K4AAG165WM-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCTD ✓ Активен
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4AAG165WM-BCTD K4AAG165WM-BCRC
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $62,00 $22,60
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
Организация памяти 1G x 16 1G x 16
Speed 2666 Mbps —
Напряжение питания 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Рабочая температура 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC]
Корпус 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) 96-ball FBGA
Интерфейс SSTL-12 DDR4 (SSTL-12)
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
Dynamic On-Chip Termination Yes Yes
Data Mask Yes —
Тип монтажа Surface Mount (BGA solder reflow) Surface Mount
Статус RoHS RoHS (per LCSC listing) Compliant
Скорость передачи данных — 3200 Mbps
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Data Mask Function — Yes
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену