K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WM-BCRC 对比

详细并排对比 K4AAG165WM-BCTD 出自 Samsung Electronics 和 K4AAG165WM-BCRC 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCTD K4AAG165WM-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCTD ✓ 量产中
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC ✓ 量产中

规格对比

参数 K4AAG165WM-BCTD K4AAG165WM-BCRC
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $62.00 $22.60
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
存储组织 1G x 16 1G x 16
Speed 2666 Mbps —
电源电压 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
工作温度 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC]
封装 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) 96-ball FBGA
接口 SSTL-12 DDR4 (SSTL-12)
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
Dynamic On-Chip Termination Yes Yes
Data Mask Yes —
安装类型 Surface Mount (BGA solder reflow) Surface Mount
RoHS 状态 RoHS (per LCSC listing) Compliant
数据速率 — 3200 Mbps
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Data Mask Function — Yes
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps]

数据手册与资源

浏览全部产品 创建 BOM 获取报价