K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WM-BCRC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG165WM-BCTD par Samsung Electronics et K4AAG165WM-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCTD K4AAG165WM-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCTD ✓ Actif
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4AAG165WM-BCTD K4AAG165WM-BCRC
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $62,00 $22,60
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
Organisation de la mémoire 1G x 16 1G x 16
Speed 2666 Mbps —
Tension d'alimentation 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Température de fonctionnement 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC]
Boîtier 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) 96-ball FBGA
Interface SSTL-12 DDR4 (SSTL-12)
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
Dynamic On-Chip Termination Yes Yes
Data Mask Yes —
Type de montage Surface Mount (BGA solder reflow) Surface Mount
Statut RoHS RoHS (per LCSC listing) Compliant
Débit de données — 3200 Mbps
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Data Mask Function — Yes
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps]

Fiches techniques et ressources

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