K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WM-BCRC 비교

다음의 상세 나란히 비교: K4AAG165WM-BCTD 제조: Samsung Electronics 및 K4AAG165WM-BCRC 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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K4AAG165WM-BCTD K4AAG165WM-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCTD ✓ 활성
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K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 K4AAG165WM-BCTD K4AAG165WM-BCRC
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $62.00 $22.60
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
메모리 구성 1G x 16 1G x 16
Speed 2666 Mbps —
공급 전압 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
동작 온도 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC]
패키지 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) 96-ball FBGA
인터페이스 SSTL-12 DDR4 (SSTL-12)
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
Dynamic On-Chip Termination Yes Yes
Data Mask Yes —
실장 유형 Surface Mount (BGA solder reflow) Surface Mount
RoHS 상태 RoHS (per LCSC listing) Compliant
데이터 속도 — 3200 Mbps
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Data Mask Function — Yes
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps]

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