K9MDG08U5M vs K9PDG08U5M Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K9MDG08U5M por Samsung Electronics e K9PDG08U5M por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K9MDG08U5M K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M ✓ Ativo
Samsung Electronics
K9PDG08U5M K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics

K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics

K9PDG08U5M ✗ Fim de vida

Comparação de especificações

Parâmetro K9MDG08U5M K9PDG08U5M
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs EEPROM
Status do ciclo de vida Ativo Fim de vida
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $35,50 $4,20
Tipo de memória MLC Large Block NAND Flash NAND Flash (SLC)
Density 16 Gbit (2 GB) 4 Gbit
Organização da memória 16G x 8 bit x8 (multiplexed I/O)
Cell Type MLC (2 bits per cell) —
Supply Voltage Min 2.7 V —
Supply Voltage Max 3.6 V —
Interface Asynchronous x8 multiplexed address/data —
Encapsulamento 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm TSOP1-48
Terminals 48 —
Circuits 1 —
Die Configuration Dual stacked —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
Page Read Time (tR) [DATA_NEEDED: tR] —
Program Time (tPROG) [DATA_NEEDED: tPROG] —
Status RoHS unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
Tensão de alimentação — [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Page Read Time — [DATA_NEEDED: page read time]
Page Program Time — [DATA_NEEDED: page program time]
Block Erase Time — [DATA_NEEDED: block erase time]
Access Interface — Asynchronous multiplexed address/data, CLE/ALE control
Ready/Busy Output — Yes (R/B, open-drain)
Write Protect Pin — Yes (/WP)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

Fichas técnicas e recursos

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